硅谷FMS2023再聚首, 得一微YEESTOR存储已上新台阶

8月8日-10日，为期三天的全球闪存峰会FMS2023在美国加州圣克拉拉会议中心隆重举行。FMS闪存峰会是存储领域久负盛名的国际大会，展示闪存最新技术进展，聚焦全球范围内领先的3DNANDFlash、DNA存储、CXL、AI以及DRAM、汽车、数据中心等先进存储的最新技术和产品。

得一微电子（YEESTOR）携存储控制芯片、存储器在内的全系列最新产品和存储解决方案重磅亮相，分享公司在消费电子、工业和汽车存储等领域的最新技术和应用成果。

得一微全系列存储控制芯片产品包括PCIeGen3、SATA3.2、eMMC5.1、SPINAND，USB3.2、SD6.1等，针对服务器、游戏主机、笔记本、平板电脑、手机、工业等市场都已形成批量供货，同时得一微不断结合市场需求提升产品创新能力，推出极具竞争力的产品。

本次展示的eMMC5.1主控YS8297，采用28nm工艺，这也是目前全球最先进的eMMC5.1主控工艺。有了先进工艺的加持，该芯片的数据输入输出的延时更短，信号抗干扰能力大幅提升，功耗表现优异。YS8297支持2DMLC，3DTLC/QLCNANDFlash，ONFI3.X,Toggle2.0的Flash接口，顺序读写速度高达330/230MB/s，支持1.8V和1.2V接口电压。

同时，YS8297搭载新一代高性能的LDPC纠错引擎，支持BCH，有效地支持新一代NANDFlash，同时兼容不同制程的Flash。提供E2E端对端的数据保护，进一步提升eMMC的可靠性，非常适用于消费电子、工业级等领域。

展会现场，得一微还公布了即将推出的PCIeGen4NVMe2.0SSDYS9303主控芯片参数，其优异的读写性能以及低功耗低成本特性，非常适用于ClientSSD。

YS9303基于先进的12nm工艺，支持NVMe2.0接口技术标准，采用得一微自研的NVMeIP。IO速率最高支持到3200MT/s，提供4个Lane和4个NANDFlash通道，顺序读写速度达7400MB/s和7000MB/s。

该芯片采用DRAM-less设计，支持1.2V的接口电压。支持E2E数据保护，使用得一微自研的4K码长LDPC，有效增强了数据可靠性和耐久性，提升闪存的可靠性能及使用寿命。

由于电子设备越来越追求轻薄化以及高效能，对SSD、eMMC5.1主控在低功耗和小尺寸方面提出更高的要求，此次推出的两款芯片实现技术创新，顺应市场趋势，进一步提升得一微存储产品组合，满足智能终端数据存储市场所需。

近年来得一微大力拓展工业级存储和汽车存储领域，推出了完整的工业级存储解决方案和车规级eMMC存储，产品以性能卓越、可靠性高等特性，获得众多工业/汽车客户的青睐。

得一微在现场展示了包括2.5寸SATASSD、mSATASSD、M.2SSD、U.2SSD、BGASSD、eMMC在内的工业级/车规级存储产品，产品皆搭载得一微自研的存储控制芯片，具备宽温、高度客制、高可靠、高密度封装、大容量等特性，实现存储器产品在各种严苛环境下的完美表现。产品已被广泛应用于工业领域，在轨道交通、电力、通讯、车载、工业控制等领域形成了影响力。

在工业嵌入式系统应用中，兼具高性能、轻量化、低功耗和高性价比等优势的BGASSD提供了绝佳的存储解决方案。得一微BGASSD产品支持SATA、PCIe接口，采用pSLC和TLC颗粒。其中PCIeGen3x4BGASSD，BGA499Ball的封装，尺寸仅20x22x1.8mm，性能卓越，支持E2E端到端数据保护，支持-55°C至85°C的工作温度，120GB~960GB的大容量可选范围，产品已得到众多行业客户的广泛认可。

现场得一微电子多款车规级eMMC存储芯片也备受关注，产品搭配得一微自研eMMC主控芯片，具有优秀的读写性能和迅捷的响应速度，已通过国际汽车电子协会AEC-Q100Grade2的车规测试验证，能确保在极端场景下的稳定运行。未来，得一微还将通过BGASSD产品提供汽车级的可靠性、耐久性和稳定性，并重点布局UFS车规类存储器产品，满足不同客户的全方位场景应用，打造更加全面、高质量的汽车存储解决方案。

结语

得一微将一如既往深耕存储技术，不断创新和突破，以深厚的存储控制技术，全面的产品布局以及亮眼的市场拓展，服务全球存储业界合作伙伴，为移动计算终端、智能家居、智慧物联网、数据中心及云平台、工业互联网和智能汽车等各类行业应用，提供以存储控制技术为关键价值的全栈式存算一体及存算互联解决方案。